消息称三星、台积电 3nm 良品率约 50%，预计影响明年订单竞争

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2023/9/b644b1ad-8b4b-4fc1-82f1-07ee938cf905.png?x-bce-process=image/format,f_auto

IT之家 10 月 9 日消息，据韩媒 ChosunBiz 报道，业内人士本月 4 日分析称，三星电子、台积电的 3nm 工艺良品率目前都在 50% 左右。报道称，此前有消息表示三星电子的 3nm 良品率超过 60%，且已经向中国客户交付了一款芯片，但由于该工艺省略了逻辑芯片中的 SRAM，因此很难将其视为“完整的 3nm 芯片”。业界认为，尽管三星已经率先量产重点发展的 3nm 全栅极技术（GAA），但它的产量还不足以影响大客户。在这种技术中，由于栅极环绕在构成半导体的晶体管中电流通道的四边，与此前环绕三边的工艺相比，难度自然会增加。一位熟悉三星的人士透露，“要赢得高通等大客户明年的 3nm 移动芯片订单，良率至少需要提高到 70%。”至于台积电，虽然作为目前唯一一家拥有 3nm 量产记录的公司，但其产量同样低于最初预期。有分析师表示，台积电 3nm 工艺中使用了与上一代工艺相同的 FinFET 结构，可能“未能控制”过热问题