三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组 此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础 随着12纳米级内存产品阵容的扩展，三星将持续为AI，下一代计算等多行业的各种应用提供支持 深圳2023年9月1日 /美通社/ -- 2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。 三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（1） "在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，这有助于满