新思科技IP 组合在台积公司3纳米工艺上实现首次流片成功，加速先进芯片设计

基于台积公司N3E工艺的广泛IP组合能够助力AI、移动和HPC 等新兴领域实现业界领先的功耗、性能和面积（PPA） 要点： 基于台积公司N3E工艺技术的新思科技IP能够为希望降低集成风险并加快首次流片成功的芯片制造商建立竞争优势 符合标准规范的新思科技接口IP，包括112G以太网、LPDDR5X、DDR5、PCIe、USB/DisplayPort和MIPI C/D-PHY，实现了广泛的互操作性 基于台积公司N3E工艺技术的广泛IP组合与新思科技的认证数字和定制设计解决方案强强结合，能够提高性能并极大限度地降低功耗 加利福尼亚州森尼韦尔2023年8月7日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，基于台积公司N3E工艺技术可提供广泛的接口IP产品组合，成功引领了新一轮先进芯片设计浪潮。新思科技的半导体IP在最通用的协议等多条产品线上