消息称三星、SK 海力士正致力于研发降低内存功耗技术，提升高性能计算下的效率

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IT之家 7 月 13 日消息，随着模型训练类任务在当下愈发增多，HBM 和 DDR5 等内存在高性能计算中的重要性日益增加，而内存的功耗问题也愈发突出。据外媒 Chosun Biz 报道，三星电子和 SK 海力士等内存制造商正在与学术界展开合作，投资于下一代技术以降低功耗，以提升高性能计算下的效率。IT之家经过查询得知，DRAM 目前占据基于英伟达 A100 的数据中心平台总功耗的 40%，而随着层数的增加，HBM 的功耗也会增加。首尔国立大学此前推出了 DRAM Translation Layer 技术，声称可以将 DRAM 的功耗降低 31.6%，引来了三星的兴趣。▲ 图源 首尔国立大学论文▲ 图源 首尔国立大学论文三星当下正在与首尔国立大学合作，以进一步降低内存功耗，他们基于 Compute Express Link 技术，开发了采用 12 纳米工艺的 16GB DDR5 DRAM，与上一代产品相比，功耗降低了 23%。