ASML 和 IMEC 宣布共同开发 high-NA EUV 光刻试验线

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IT之家 6 月 29 日消息，比利时微电子研究中心 (IMEC) 以及 ASML 今日宣布，双方将在开发最先进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻试验线的下一阶段加强合作，为使用半导体技术的行业提供原型设计平台和未开发的未来机遇。今天签署的谅解备忘录旨在帮助使用半导体技术的产业了解先进半导体技术带来的机遇，并获得一个支持其创新的原型平台。imec、ASML 和其他合作伙伴之间的合作将使探索新型半导体应用成为可能，为芯片制造商和最终用户开发可持续的、前沿的制造解决方案的可能性，以及与设备和材料生态系统合作开发先进的整体图案流动。IT之家从官方新闻稿中看到，双方签署的谅解备忘录包括在比利时鲁汶的 IMEC 试验线安装和服务 ASML 的全部先进光刻和测量设备，包括最新的 0.55 NA EUV（TWINSCAN EXE:5200）、0.33 NA EUV（TWINSCAN NXE:3800）、DUV 浸没（TWINSC