IT之家 5 月 26 日消息,传统半导体芯片性能主要取决于多层晶体管的密集堆叠,如今随着新兴的人工智能,发展计算机芯片所需要的成分越发高昂。麻省理工学院(MIT)华裔科学家朱家迪领军的原子级晶体管研究于 4 月取得突破,该项目采用气象沉淀逐层堆叠工艺生产,不再需要使用光刻机,即可生产出一纳米甚至以下制程的芯片。这将使计算机的尺寸缩小到只有目前的千分之一大小,且功耗也只有目前的千分之一。▲ 图源 MIT 网站新晶体管只有大约三个原子的厚度,因此堆叠起来可以制造成本更低,性能更强大的芯片。麻省理工学院的研究人员也因此开发了一种新技术,可以直接在完全制造的硅芯片上有效且高效地“生长”金属二硫化物 (TMD) 材料层,以实现芯片晶体管更密集的集成性。由于芯片制造过程通常需要大约 600 摄氏度的温度,而硅晶体管和电路在加热到 400 摄氏度以上时可能会损坏,因此将晶体管材料直接“生长”到硅晶圆上是一项重大挑战。现在,麻省理工
不用光刻机也能生产高端芯片,华裔科学家晶体管研究实现新突破
2023-05-26 19:19:13来源: IT之家
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