三星将于 2023 年 6 月揭晓升级版 3 纳米和 4 纳米芯片制程

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IT之家 5 月 22 日消息，三星半导体（Samsung Foundry）计划在 2023 年 6 月的 VLSI Symposium 2023 上公布其升级版的 3 纳米和 4 纳米芯片制造工艺，该活动将于 2023 年 6 月 11 日至 16 日在日本京都举行。在这次芯片行业盛会上，这家韩国芯片制造商将详细介绍其第二代 3 纳米和第四代 4 纳米工艺。这两种新工艺对于三星半导体来说很重要，因为它们将有助于其获得更多客户。IT之家注意到，三星半导体使用的 4 纳米工艺曾经遭到过很多批评，因为其效率远不及台积电（TSMC）用于制造苹果 A16、高通骁龙 8 Gen 2、联发科天玑 9000 和英伟达 RTX 4000 系列 GPU 的 4 纳米工艺，而三星半导体使用该工艺制造了 Exynos 2200 和骁龙 8 Gen 1 芯片组。三星半导体的 SF3 芯片制造工艺将采用 3 纳米 GAP 技术，是 SF3E 工艺的改进版