三星新一代 3nm 制程 SF3 将亮相 VLSI 2023：较 4nm FinFET 频率提升 22%，能效改进 34%

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IT之家 5 月 8 日消息，2023 国际超大规模集成电路技术研讨会将于 6 月 11 日至 16 日在日本京都举行。官方现提前透露了一些将会在此次顶会上揭晓的内容。除了技术演示外，VLSI 研讨会还将包括演示会议、联合焦点会议、晚间小组讨论、短期课程、研讨会和特别论坛。届时还会有一些科技前沿的 CMOS 技术重点论文，例如“全球首个采用新型 MBCFET 技术的 GAA 3nm 工艺（SF3）”。三星 3nm 技术之所以如此备受期待，是因为它实现从 FinFET 到 Gate-All-Around 晶体管架构的转变。据称，SF3 相较 4nm FinFET 平台实现了 22% 频率提升、34% 能效改进、21% 面积微缩（PPA） 。三星 SF3 技术是业界首款量产 GAA 工艺的升级版，采用多桥通道 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）设计，可以为各种纳米片宽度提供相当不错的性能，在固定的标准单