38 年后，英特尔重回存储领域联合三个国家实验室研发相关技术

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IT之家 1 月 2 日消息，英特尔最初其实是做 DRAM 存储器起家的，而且一度成为存储半导体技术的先驱，并在 1970 年成功造出了全球首款商用 1K Bit pMOS DRAM“Intel 1103”，但随着后来日本厂商的崛起在 1984 年宣布退出该领域。虽然不再研发 DRAM 技术，但英特尔并不是完全与存储技术割离开来，例如该公司后来还曾在 IDF 2015 上宣布与美光合作开发 3D XPoint 技术，将精力投入到 NAND Flash 领域，还研发了 Optane 傲腾硬盘，不过于没几年就将相关业务卖掉了。IT之家发现，英特尔子公司“英特尔联邦有限责任公司”接受了美国能源部的委托，为桑迪亚国家实验室开发一种新的内存技术。据介绍，这种技术则是美国 AMT 高级内存技术的一部分，主要用于超算领域，旨在加速模拟和计算应用。这种全新的 DRAM 技术还没有明确的资料，但目前已经选定几款技术，整体看起来