国星光电推出碳化硅功率模块新品NS62m

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【TechWeb】12月14日消息，近日国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。国星光电NS62m功率模块采用标准型封装，半桥拓扑设计，内置NTC热敏电阻，可实现温度监控；采用62mm尺寸标准基板和接口，可兼容行业内各大主流产品，实现快速替换使用；具有150℃的连续工作温度(Tvjop)和优秀的温度循环能力，器件可靠性表现卓越。NS62m功率模块以半桥电路结构应用于逆变器中。在实际应用中，一般会以2个或3个NS62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将直流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于NS62m功率模块内SiC MOSFET的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能，因此在无需额外搭配二极管器件，更可满足多数场景下的续流要求。如图中橙色框图部分所示，每个框图代表一个N