外资法人预计台积电 2nm 采用 GAAFET 路线，此前宣布 2025 年量产

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IT之家 9 月 4 日消息，3nm 时代，三星选择采用环绕栅极 (GAAFET) 晶体管架构打造 3nm 芯片，而台积电则延续了鳍式场效应管（FinFET）的方案，预计台积电 3nm（N3）芯片将于今年下半年投产。台湾《经济日报》称，虽然在 3nm 世代略有保守，但无论如何，鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以外资法人预估台积电 2nm 先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体 GAAFET 高端架构生产 2nm 芯片。根据台积电官网显示，台积电将持续与全球 16 家 EDA 厂商组成电子设计自动化联盟，其中就包括全球前 5 大 EDA 厂商。美系外资法人指出，台积电在先进制程的 EDA 软件工具方面与美国厂商关系非常密切，其多数高端设备与 IP 不仅由美商供应，另外科磊（KLA）制程监控设备以及 ASML 的极紫外光 EUV 光刻机，也很难由日本、欧洲、甚至中国厂商取代。外资法人表示，未来