新思科技携手三星电子在低功耗工艺上为先进节点5G/6G SoC提供更佳能效和质量

新思科技与三星联合开发的端到端射频设计参考流程和设计解决方案套件，并集成了Ansys的领先技术，以加快设计完成 加州山景城2022年8月11日 /美通社/——新思科技（纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布推出射频（RF）设计参考流程和配套的设计解决方案套件（DSK），以加快三星电子（以下简称为"三星"）的8nm射频低功耗FinFET工艺的设计并提高产能，从而帮助双方客户加速开发用于5G/6G应用中的射频设计。8nm射频设计参考流程采用了新思科技和Ansys的无缝整合的解决方案，助力下一代射频设计提高完成质量，缩短完成时间，降低实现成本。 三星电子晶圆代工事业部设计团队副总裁Sangyun Kim表示："三星新的射频解决方案，即8nm 射频工艺技术，可以提高5G通信芯片的性能和能效比。当前，世界对于超紧密连接的需求日益增长，我们很高兴与新思科技、Ansys紧密合作开发8nm 射频设计参考流程和设计