SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存

新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 "公司将持续创新并不断突破技术瓶颈" 韩国首尔2022年8月3日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 图1. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存 近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示："自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAN