SK 海力士拟年内试产 238 层 NAND 闪存

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SK 海力士在近日举行的二季度财报电话会议上透露，计划在年内完成 238 层 NAND 试产，并在 2023 年上半年实现量产。针对美光近期量产 232 层 NAND 的动态，海力士方面表示各家厂商产品发布节奏不同，存储市场目前应专注于提高盈利能力，海力士的目标是实现行业最高水平的盈利能力。公司方面还表示，计划今年年底实现主力产品 176 层 4D NAND 以晶圆形式出货占比 70%，以进一步提升毛利率。针对 DRAM 市场行情，海力士方面表示，尽管目前 DRAM 的平均售价（ASP）走低，但成本下降足以弥补 ASP 变化，公司方面预计今年 DRAM 出货量将增加约 10%，NAND 闪存出货量增加 20%。