三星开始开发 DDR6 内存：采用 MSAP 封装技术，消息称传输速度高达 17000 Mbps

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IT之家 7 月 16 日消息，据 Sammobile 报道，三星副总裁 Younggwan Ko 最近在韩国水原举行的一次研讨会上表示，随着存储半导体变得更强大，封装技术必须与存储半导体一起发展。将 MSAP 工艺应用于其 DDR6 内存芯片将允许三星制造具有更精细电路的芯片。另据 The Elec 报告称，三星的竞争对手已经将 MSAP 封装技术用于 DDR5 内存，而三星正在努力将这种封装技术用于 DDR6。传统的封装方法只把要形成电路图案的区域进行涂覆，而将其他区域蚀刻掉。 但在 MSAP 封装中，除了电路之外的区域都经过涂层处理，而空白区域则进行了电镀，从而可以实现更精细的电路。IT之家了解到，三星于本周早些时候推出了其首款用于显卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，报道称，该公司处于 DDR6 开发的早期阶段，根据去年的一份报告，其 DDR6 设计可能会在 2024 年完成。预计 DDR6 的速