全球首家：三星宣布已量产 3 纳米芯片

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6 月 30 日消息，三星电子有限公司周四宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片，是全球首家量产 3 纳米芯片的公司。与前几代使用 FinFET 的芯片不同，三星使用的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。 三星公司在一份声明中说，与传统的 5 纳米芯片相比，新开发的第一代 3 纳米工艺可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。三星还称，第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%，性能提高 30%，面积减少 35%。 三星公司没有透露 3 纳米公司的客户身份，分析师表示，预计三星本身和中国虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体将成为最初的客户之一。 作为对比，台积电和英特尔分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产 3 纳米芯片。 台积电（TSMC）是世界上最先进的代工芯片制