我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾逝世 享年89岁

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6 月 24 日消息，中国科学院半导体研究所 6 月 23 日发布讣告，中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效，不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 时在北京逝世，享年 89 岁。 中国科学院半导体研究所在《梁骏吾院士生平》中写道： 中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家、我国早期半导体硅材料的奠基人梁骏吾先生因病医治无效，不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 时在北京逝世，享年 89 岁。半导体研究所和半导体材料科学领域为失去这样一位学科泰斗，扼腕痛惜；梁氏家族为失去这样一位挚爱亲人，无限悲痛；学生弟子，为失去这样一位良师，深切哀悼。 梁骏吾院士，1933 年 9 月 18 日生于湖北武汉。1955 年毕业于武汉大学物理专业，1956 年至 1960 年就读于前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所并获得副博士学位，同年到中国科学院