台积电抢攻2nm王冠！ASML最强光刻机加持，2025年量产

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新智元报道 编辑：桃子 袁榭 【新智元导读】2nm制程全球争夺战升级！6月16日，台积电首度公布2nm先进制程，将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，预计2025量产。 台积电杀手锏来了：2nm先进制程首亮相。 6月16日，台积电在2022年度北美技术论坛上，官宣将推出下一代先进制程N2，也就是2nm制程。 2nm来了，终结FinFET 一直以来，包括7nm、5nm在内的芯片制程都采用的是FinFET晶体管技术。 要知道，半导体行业进步的背后有着一条金科玉律，那就是‘摩尔定律’。 摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。 当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候，对新的晶体管技术提出了需求。 也就是说，GAA （gate-all-around，简称 GAA） 架构的出现再次拯救了摩尔