韩研究所：韩国 DRAM 技术领先中国 5 年，NAND 闪存领先 2 年

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IT之家 5 月 31 日消息，据 BusinessKorea 报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国在 DRAM 技术方面比中国领先 5 年，NAND 闪存方面领先 2 年。该研究机构在 5 月 30 日表示，今年中国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级（1y 或 16 纳米至 17 纳米）DRAM 的大规模生产。另一方面，三星电子和 SK 海力士正计划在今年年底或明年大规模生产第五代 10nm 级（1b 或 12 纳米至 13 纳米）DRAM。考虑到每一代的技术差距约为两年到两年半，两国的技术差距超过五年。特别是，三星和 SK 海力士已经引进了用于超微制造工艺的极紫外光（EUV）设备，或正计划引进，但由于中国公司很难引进 EUV 设备，为此许多专家表示，中国要缩小与韩国的技术差距并不容易。中国芯片制造商的良率也很低。OERI 分析说，2019 年开始批量生产第一代 10nm 级（1x 或