ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进展：目标 2024-2025 年进厂

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IT之家 5 月 29 日消息，半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术，而新的高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）技术将会比这更快。目前，最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺，下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术，而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说，它们大都具有 0.33 NA（数值孔径）的光学器件，可提供 13 nm 分辨率。目前来看，这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm) 和 5nm (30 nm ~ 32 nm) 的单模已经足够用了，但随着间距低于 30 nm（超过 5 nm 级的节点）到来，13 nm 分辨率可能需要双重曝光技术，这是未来几年内的主流方法。对于后 3nm 时代，ASML 及其合作伙伴正在开发一种全新的 EUV 光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列，该