性能提升 5 倍，西数最新 QLC 颗粒写入速度达 60MB/s

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IT之家 5 月 13 日消息，西部数据在 5 月 10 日的发布会中不仅发布了一系列新品，还透露了其 3D 闪存路线图。西数称，他们的下一代的 BiCS6 为 162 层 3D NAND，而西数刚发布的旗舰固态 SN850X 使用的则是 2020 年生产的 BiCS5 112 层 3D NAND 。BiCS6 将带来更快的 I / O 接口和更快的颗粒带宽，而且其 QLC 版本拥有比 TLC 版本更小的芯片面积和更高的存储密度，而且虽然西数的 BiCS6 QLC 颗粒的堆叠层数比美光和 SK 海力士的 176 层 QLC 闪存要低一些，但存储密度却超越了它们。QLC 颗粒自它诞生的那天起就被网友们冠上“垃圾”的名头，原因就是它不仅写入寿命短，缓外写入速度还低的离谱。当消费者们看到 QLC 硬盘的产品宣传页面写着 2000MB/s的写入速度就兴冲冲的将其买回家时，他们还不知道这些硬盘的缓外写入速度实际上只有可怜的几十 MB 每秒