东芯股份：公司 LPDDR4X 芯片采用 25nm 制程工艺，目前处于自主研发阶段

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集微网消息 5 月 10 日，东芯股份在投资者互动平台回应投资者关于“公司研发的 LPDDR4X 制程是多少？今年有望量产吗”的问询时表示，公司研发的 LPDDR4X 制程是 25nm，目前处于研发阶段。据悉，东芯股份是本土少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 等主要存储芯片完整解决方案的公司，并拥有清晰自主知识产权。东芯股份的核心技术均来源于自主研发，经过多年的技术积累和研发投入，在 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，包括 6 项 NAND Flash 相关技术、2 项 NOR Flash 相关技术以及 1 项 DRAM 相关技术。东芯股份设计研发并量产的 24nm NAND、48nm NOR 也均为大陆领先的 NAND、NOR 工艺制程。东芯股份表示，公司将通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的性能领先和竞争优势；凭借多种类存储产品的优势，加大对物