华中科技大学发表国际首篇光学晶圆缺陷检测领域系统综述

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华中科技大学新闻网显示，华中科技大学机械学院刘世元教授团队于 4 月 21 日在 SCIE 期刊 International Journal of Extreme Manufacturing（极端制造）上发表了“Optical wafer defect inspection at the 10 nm technology node and beyond（10nm 及以下技术节点晶圆缺陷光学检测）”的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。据了解，晶圆缺陷光学检测方法的最新进展包含三个方面：缺陷可检测性评估、光学缺陷检测方法、后处理算法。缺陷可检测性评估包含两个方面：材料对缺陷可检测性的影响、晶圆缺陷拓扑形貌对缺陷可检测性的影响。多样化的光学缺陷检测方法：晶圆缺陷光学检测系统可根据实际使用的光学检测量进行分类，该综述研究所总结的代表性晶圆缺陷检测新方法，具体可划分为明 / 暗场成像、暗场成像与