国产三代半导体材料新突破，中科院成功制备 8 英寸碳化硅晶体

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2022/5/af1ad2a3-3943-4db2-8513-0cf48aad3a79.png

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，在功率半导体等领域具有巨大应用潜力，但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题，碳化硅单晶衬底在器件成本中占比也高达近 50%。近期，中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺，改善晶体结晶质量，成功制备单一 4H 晶型的 8 英寸碳化硅（SiC）晶体，并加工出厚度约 2mm 的 8 英寸 SiC 晶片，实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。中科院方面表示，该成果转化后，将有助于增强我国在 SiC 单晶衬底的国际竞争力。在已有的研究基础上，2017 年，陈小龙研究员、博士生杨乃吉、李辉副研究员、王文军主任工程师等开始 8 英寸 SiC 晶体的研究，通过持续攻关，掌握了 8 英寸生长室温场分布和高温气相输运特点，以 6 英寸 SiC 为籽晶，设计了有利于 SiC 扩径生长的装置，解决了扩径生长过程中籽晶边缘多晶形核问题；设计了新型生长装置，提高了原料输运效率；通过多次迭代，逐步扩大 SiC 晶体的尺