三星 3nm 芯片将于第二季度开始量产

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IT之家 4 月 28 日消息，三星电子周四宣布，将在本季度 (即未来几周内) 开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创 3nm 级制造技术，也是首个使用环栅场效应晶体管 (GAAFETs) 的节点。“这是世界上首次大规模生产的 GAA 3 纳米工艺，将以此提高技术领先地位，”三星在一份报告中写道。三星 Foundry 的 3GAE 工艺技术是首次使用 GAA 晶体管 (三星将其称为“多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)”) 工艺。IT之家了解到，三星大约在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 工艺节点。当该公司描述 使用其 3GAE 技术生产的 256Mb GAAFET SRAM 芯片时，它拿出了许多数据。三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的