消息称三星 3 纳米工艺试产良率仅一成，代工份额或遭英特尔逆袭

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据韩媒报道，三星电子试图在制造工艺节点上领跑的努力正遭遇挫折，并未拉近与台积电在代工市场的身位，且面临被进入代工业务的英特尔后来居上。消息人士对该报表示，三星 3 纳米工艺试产良率仅 10% 左右，年内量产第一代 3GAE 工艺产品，明年实现第二代 3GAP 工艺量产的计划或将延迟。该报分析称，良率问题使三星电子流失了高通、英伟达等大客户，如不能解决工艺问题，将面临英特尔越来越大的竞争压力，目前后者已计划在 2024 年进入 2 纳米制程。