日本研发氧化镓制备新技术，成本猛降 99%

IT之家 4 月 25 日消息，据日经新闻报道，该国东北大学吉川彰教授与初创企业合作，研发新一代半导体材料-氧化镓的新制造技术，成本约为传统方法的百分之一。传统方法是加热使用贵金属铱制造的容器，熔化其中的材料，制造结晶。要制造直径约 15 厘米的实用性结晶，仅容器就需要 3000 万～5000 万日元（约 253 万元人民币），还存在结晶的质量不够稳定等课题。据称由于不需要昂贵的容器等原因，利用新方法能以目前约 100 分之 1 的成本制造氧化镓结晶。该团队表示将力争在 2 年内制造出直径 6 英寸以上的结晶，推动产业化。IT之家了解到，氧化镓作为功率半导体新一代材料受到期待，据称氧化镓的电力损耗在理论上仅为硅的约 1/3400、碳化硅的约 1/10。如果纯电动汽车（EV）的马达驱动用电源采用氧化镓制的功率半导体，就算电池容量相同，也能行驶更远距离。C&A 和东北大学的团队将利用新方法降低此前成为瓶颈的生産成本，推动实用