外媒称三星3nm工艺良品率仍远不及预期 仅10%-20%

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【TechWeb】4月18日消息，据国外媒体报道，在2月份有报道称台积电的3nm工艺遇到良品率难题，可能影响到AMD、英伟达等部分客户的产品路线图之后，又出现了三星电子3nm工艺的良品率远不及预期的消息。 韩国媒体的报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率，才到10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。 三星电子和台积电是目前已顺利量产5nm工艺，并在推进3nm工艺量产事宜的晶圆代工商，与台积电继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构不同，三星电子3nm工艺采用的是全环绕栅极晶体管（GAA）技术。 在全球晶圆代工市场份额连续多年远不及台积电的三星电子，对他们的3nm制程工艺寄予厚望。在去年6月份就曾有报道称，三星电子的3nm工艺已成功流片，距离量产又更近了一步，计划在今年6月份开始量产。 不过，三星电子3nm工艺的良品率远不及预期，还只是外媒的报道，并不是三星方面公布的消息。但如果三