三星定目标：2022 年 6 月前全面开发出第六代、11 nm 1c DRAM 芯片

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IT之家 4 月 15 日消息，据 BusinessKorea 的报道，三星已经设定了目标，即在今年 6 月前完成 11 纳米的第六代 1c DRAM 芯片的开发。据说该公司已经要求其研究人员停止或跳过 1b DRAM 的开发，这是一种 12 纳米芯片。此前有消息称，三星已经中断了 12-13nm 工艺级别内存研发，表示三星 13nm 级别的内存被间接承认失败。报道称，三星希望扩大与竞争对手的技术差距，这些竞争对手包括 SK 海力士和美光科技。此外，这并不是三星第一次放弃 DRAM 的某些开发阶段而向更高层次发展。此前，三星放弃了 28 纳米 DRAM 的大规模生产，专注于生产 25 纳米 DRAM。业内专家认为，对三星来说，生产 11 纳米 DRAM 并不是一件容易的事，因为这需要先进的技术。然而，据 BusinessKorea 报道，三星希望找到一种方法，该公司在 1c DRAM 完成之前面临着巨大的开发压力，因为其在 1a