东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

采用最新一代工艺，提高了电源效率 日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”( https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html )。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。 图片：https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M107097/20220324904