南芯：realme 真我 GT Neo3 搭载旗下 SC8571 快充芯片，实现 150W 光速秒充

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IT之家 3 月 30 日消息，日前，realme 推出了“潮玩旗舰”真我 GT Neo 3，支持 150W 光速秒充，5 分钟充电 50%。据南芯消息，真我 GT Neo 3 搭载了南芯半导体 SC8571 超高压电荷泵快充芯片。官方称，南芯 SC8571 可实现业界同类产品的最大功率，单芯片可支持最高 120W 充电规格。通常情况下，为保证手机的散热性能和用户体验，120W 到 160W 一般会采用 2 颗 SC8571 并联方案；如若采用 3 颗 SC8571 并联，并配合相应快充链路的整体加强设计，则可以实现 200W 的充电功率。SC8571 实现了业界极高的 98.65% 峰值效率，在单颗输出 8A 的大功率负载条件下依然保持超过 98% 的效率指标。安全性方面，SC8571 内部集成了 21 重不同保护机制，以确保充电过程安全可靠。其保护机制可以分为以下三类：11 重系统级保护、5 重电荷泵相关保护、5