安建半导体完成1.8亿元B轮融资，超越摩尔投资领投

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【猎云网北京】3月25日报道3月25日，半导体功率器件厂商安建半导体宣布获1.8亿元B轮融资，本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资和金建诚投资跟投。此次资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。谈及此次投资逻辑，超越摩尔董事总经理史晶星博士表示，功率器件是中国最大概率可以实现弯道超车的赛道，也一直是超越摩尔的重点布局方向之一。据了解，安建半导体成立于2016年，专注于半导体功率器件的研发、设计和销售。目前，安建半导体的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。未来，安建半导体还将针对不同应