融资丨「安建半导体」完成1.8亿元B轮融资，超越摩尔投资领投

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创业邦获悉，3月25日，半导体功率器件厂商安建半导体宣布获1.8亿元B轮融资，本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资和金建诚投资跟投。募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。安建半导体成立于2016年，对标的正是全球前八名的功率半导体企业，其专注于半导体功率器件的研发、设计和销售，是赋能高端芯片国产化的企业之一。功率半导体是电力设备的核心器件，其主要作用是为电力系统提供变频、变压、变流、电机推动和功率管理等功能。因此，所有的电力设备都需要用到半导体功率器件。目前，MOS管和IGBT是应用最广泛的功率器件，占比90%以上。这两者也是安建半导体的主要业务。其中，MOS管是基础功率器件的一种升级形式。最早的功率器件是三极管，原理是当基极与发射极为正时导通，反之截止¹；MOS管是人们在三极管基础上的进一步发明，其特殊的结构能够实现高开关频率