2nm研发取得重大突破！台积电迈向GAA为什么比三星晚

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根据台湾经济日报报道，近日台积电在 2nm 研发上取得重大突破，目前已找到路径，将切入全环栅场效应晶体管 GAA，这是台积电继从鳍式场效应晶体管 FinFET 技术取得全球领先地位之后，向另一全新的技术节点迈进。相比于台积电在 2nm 制程才切入 GAA，其竞争对手三星则早在 2 年前其揭露 3nm 技术工艺时，就宣布从 FinFET 转向 GAA。GAA-EFT 相当于 FinFET 的改良版如果说 FinEFT 是平面式晶体管架构的继承者，那么 GAA 就相当于 FinFET 的改良版。在 FinEFT 提出之前，根据摩尔定律，芯片的工艺节点制程的极限将是 35nm。为此，美国国防高级研究计划局（DARPA）启动了一个名为 “25nm 开关”的计划，致力于提升芯片容纳集体管数目的上限，加州大学伯克利分校教授胡正明与其团队加入了这一计划，试图攻破制程难题。使用平面式晶体管架构最大的障碍在于随着组件尺寸逐渐变小，当晶体管处于 “