台媒：台积电2nm制程研发取得突破，将切入GAA技术

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据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在 2nm 研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around，简称 GAA)技术。▲ 台积电台媒称，三星已决定在 3nm 率先导入 GAA 技术，并宣称要到 2030 年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位，台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入 2nm 研发，并获得技术重大突破，成功找到切入 GAA 路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入。台积电 3nm 制程预计明年上半年在南科 18 厂 P4 厂试产、2022 年量产，业界以此推断，台积电 2nm 推出时间将在 2023 年到 2024 年间。台积电今年 4 月曾表示，3nm 仍会沿用 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，主要考虑是客户在导入 5nm 制程后，采用同样的设计即可导入 3nm 制程，可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。台积电