重大突破！清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管：等效 0.34nm

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IT之家 3 月 12 日消息，据清华大学官方宣布，近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚 1 纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。图 1 亚 1 纳米栅长晶体管结构示意图晶体管作为芯片的核心元器件，更小的栅极尺寸能让芯片上集成更多的晶体管，并带来性能的提升。Intel 公司创始人之一的戈登・摩尔（Gordon Moore）在 1965 提出：“集成电路芯片上可容纳的晶体管数目，每隔 18-24 个月便会增加一倍，微处理器的性能提高一倍，或价格下降一半。”这在集成电路领域被称为“摩尔定律”。过去几十年晶体管的栅极尺寸在摩尔定律的推动下不断微缩，然而近年来，随着晶体管的物理尺寸进入纳米尺度，造成电子迁移率降低、漏电流增大、静态功耗增大等短沟道效应越来越严重，这使得新结构和新材料的开发迫在眉睫。根据信息资源词典系统（IRDS2021）报道，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在