三星 3nm 工厂即将动工，首发 GAA 工艺功耗直降 50%

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2022/3/4101f508-81d5-408f-a967-707afb890de7.jpg

IT之家 3 月 11 日消息，三星电子代工部门最近深陷负面传闻中。先是有消息称涉嫌伪造并虚报 5nm、4nm 和 3nm 工艺良率，让高通等 VIP 客户不得不另投台积电，近日又被黑客窃走 200GB 数据。不过从技术上来看，三星依然是唯一一家能够紧跟台积电的晶圆代工厂，而且三星在接下来的 3nm 节点上将更加激进，并想要在全球首次推出 GAA 晶体管工艺，放弃 FinFET 晶体管工艺（台积电 3nm 工艺仍将基于 FinFET 工艺）。三星正计划在 2022 年上半年完成其 3nm GAA 工艺的质量评估。据韩国媒体报道，三星已经准备好在韩国平泽市的 P3 工厂开工建设 3nm 晶圆厂，计划于 6、7 月份动工，并及时导入设备。根据三星的说法，与 7nm 制造工艺相比，3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了约 35%，纸面参数上来说确实要优于台积电 3nm FinF