中科院在 OLET 核心高迁移率发光有机半导体材料制备方面取得进展

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中国科学院化学研究所有机固体实验室董焕丽课题组在 OLET（有机发光场效应晶体管）核心高迁移率发光有机半导体材料的制备方面取得了进展。中国科学院消息显示，科研人员针对传统垂直 OLET 器件工艺复杂、且稳定性差和平面 OLET 器件线状发光形态导致的开口率低等问题，提出了新型平面型面光源出射 OLET 器件结构。据介绍，在该器件结构中，在发光单元和传输层之间引入一层电荷调控缓冲层（charge transport buffer layer，CTB layer），有效调控了漏极发光层下的电流分布，对于面光源出射起到重要作用。仿真模拟表明，在平面型 OFET 器件中引入 CTB 电荷传输层，改变了传统平面 OFET 器件中的横向电场分布，进而提升了漏电极下的电荷分布均匀性，这一现象通过设计劈裂电极器件结构得到了很好的证实。值得一提的是，基于这种器件结构，研究引入合适的发光层，制备出 RGB 三基色的平面型面光源 OLET 显示器件基