NAND 闪存进入 200 层以上竞争，业内人士称三星西安工厂成定价关键

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NAND 闪存厂商都准备在 2022 年底到 2023 年期间推出 200 层以上的芯片产品，这是行业向更高密度的 3D NAND 闪存过渡的里程碑。据《电子时报》援引消息人士称，在这些供应商中，三星电子和美光科技可能是首批开始批量生产 200 层以上 3D NAND 闪存芯片的厂商。该人士表示，三星在韩国平泽的新工厂于 2021 年下半年开始生产，并将在今年提高 176 层 3D NAND 芯片的产量。过渡到 176 层 3D NAND 闪存制造，预计将使三星新工厂的总产量在 2022 年提高到每月 5 万个晶圆。此外，三星还计划在中国西安工厂扩大 128 层 3D NAND 芯片的产量。目前，该工厂正在建设第二期工厂，每月可生产 13 万至 14 万片晶圆。第一期工厂的月均生产量为 12 万个。该消息人士认为，三星西安工厂将是决定其定价策略的关键，因为该工厂产量的大幅增加将有助于大幅降低供应商的整体生产成本。三星在晶圆厂的产