JEDEC 公布 HBM3 内存标准：带宽最高 819 GB/s，最多 16 层堆叠 64GB

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IT之家 1 月 28 日消息，SK 海力士此前率先推出了 HBM3 高带宽内存芯片，其采用多层堆叠方式，使用 TSV 硅通孔工艺制造，单片容量可达 24 GB，最高带宽可达 896 GB/s。JEDEC 组织今日公布了 HBM3 内存标准，规范了产品的功能、性能以及容量、带宽等特性。这一代内存相比 HBM2，带宽增加了一倍。独立通道的数量从 8 个增加至 16 个，再加上虚拟通道，使得每个芯片支持 32 通道。芯片可以采用 4 层、9 层、12 层堆叠方式，未来可以扩展至 16 层堆叠，实现单片容量 64GB。JEDEC 规定每层芯片的容量为 8Gb 至 32Gb 可选（1GB~4GB），第一代产品预计为单层 16Gb。为了满足市面上对于这类内存可靠性、寿命的需求，HBM3 引入了强大的片上 ECC 纠错功能，同时具有实时报告错误的能力。IT之家了解到，供电方方面，HBM3 芯片采用 0.4V、1.1V 两档工作电压，以便提高