纳微半导体成立全球首家电动车氮化镓功率芯片设计中心，650V GaN IC 已出样

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2022/1/aa82b85e-625b-4f2d-a7c5-269e4cec4e7b.jpg

IT之家 1 月 15 日消息，据纳微半导体官网消息，今天，纳微半导体宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心，进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。纳微半导体表示，与传统的硅解决方案相比，基于氮化镓的车载充电器 (OBC) 的充电速度估计快 3 倍，节能高达 70%。据估计，氮化镓 OBC、DC-DC 转换器和牵引逆变器将有望延长电动汽车续航里程，或将电池成本降低 5%，和原先使用硅芯片相比，氮化镓功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年来到。据估计，到 2050 年，将电动汽车升级到使用 GaN 之后，道路部门的二氧化碳排放量每年有望减少 20%，这也是《巴黎协定》的减排目标。新的设计中心位于中国上海，拥有一支经验丰富的世界级电力系统设计师团队，他们在电气、热力和机械设计、软件开发以及完整的仿真和原型设计能力方面具有全面的能力。新团队将在全球范围内为电动汽车客户提供支持，从概念到原型，再到全面认证和大规模生产。官方称，为 EV