“杭州芯火壹号”HX001 芯片发布，超大窗口阻变随机存储器

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12 月 17 日，“杭州芯火壹号”HX001 芯片发布，宣告杭州国家“芯火”第一颗芯片 —— 超大窗口阻变随机存储器芯片诞生。该芯片是杭州国家“芯火”双创平台共性技术研究的一部分，由杭州国家“芯火”双创平台与浙江大学微纳电子学院协同开发完成。图片来源：杭州国家芯火据悉，“杭州芯火壹号”HX001 芯片的阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置，制备 Pd / Al2O3 / HfO2 / NiOx / Ni 结构，来有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性。具有 Pd / Al2O3 / HfO2 / NiOx / Ni 结构的阻变器件不需要 Forming 操作，从而有效提高忆阻器的窗口，存储窗口可大于 106，并减少了对器件的后端集成。同时，采用十字交叉阵列将单元面积做到 40F2，大大提高了阻变器件的集成密度。检测报告显示：HX001 芯片的工作电压小于 5V；所读取的忆阻