1nm争霸“暗战”开打

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半导体行业观察（ID：icbank）| 来源 畅秋 | 作者 不提供二次转载 半导体制程已经进展到了3nm，今年开始试产，明年就将实现量产，之后就将向2nm和1nm进发。相对于2nm，目前的1nm工艺技术完全处于研发探索阶段，还没有落地的技术和产能规划，也正是因为如此，使得1nm技术具有更多的想象和拓展空间，全球的产学研各界都在进行着相关工艺和材料的研究。 上周，IBM和三星公布了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计，被称为垂直传输场效应晶体管 (Vertical Transport Field Effect Transistors，VTFET)。当前的处理器和SoC，晶体管平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。相比之下，VTFET彼此垂直，电流垂直流动。该技术有望突破1nm制程工艺瓶颈。 IBM和三星表示，这种设计有两个优点。首先，它可以绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到IBM当前的纳米片技术之外，更重要的是，由于电流更大，