目标不止 2025，英特尔公布“赶超三星台积电”战略：3D 堆叠晶体管

北京时间 12 月 13 日早间消息，据报道，美国电脑芯片巨头英特尔旗下的“组件研究集团”对外公布了多项新技术，据称可以在未来十年帮助英特尔芯片不断缩小尺寸、提升性能，其中的一些技术准备将不同芯片进行堆叠处理。在美国旧金山举办的一次国际半导体会议上，该团队通过多篇论文公布了上述新技术。过去几年，在制造更小、更快速的芯片方面（所谓“X 纳米芯片”），英特尔输给了中国台湾的台积电和韩国三星电子两大对手；如今，英特尔正在千方百计重新赢得芯片制造领域的领导者地位。此前，帕特・基辛格（Pat Gelsinger）担任英特尔首席执行官之后，推出一系列在 2025 年重新赢得优势地位的商业发展规划。而这一次该公司技术团队推出了一系列“技术性武器”，帮助英特尔在 2025 年后一直保持技术优势。据报道，传统的芯片制造都是在二维方向上，在特定面积内整合更多晶体管。英特尔技术团队提出了一个新的技术突破方向，那就是在三维方向上堆叠“小芯片