英特尔公布突破摩尔定律新技术：多芯片封装互联密度提升十倍，二维材料引入芯片

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IT之家 12 月 12 日消息，根据外媒 VideoCardz 报道，英特尔今日发表文章，公布了突破摩尔定律的三种新技术。这些技术的目标是在 2025 年之后，还能够使得芯片技术继续发展。在在 2021 年 IEEE 国际电子设备会议上，英特尔公布了多芯片混合封装互联密度提高 10 倍、晶体管密度提升 30%-50%、新的电源和存储器技术以及量子计算芯片技术等等。英特尔阐述了目前已经公布的一些创新技术，包括 Hi-K 金属栅极、FinFET 晶体管、RibbonFET 等。在路线图中，英特尔还展现了多种芯片工艺，其中包括 Intel 20A 制程，将逻辑门的体积进一步缩小，名为 Gate All Around。▲ 英特尔公布的三大技术突破以下具体内容：1、英特尔新型 3D 堆叠、多芯片封装技术：Foveros Direct这项技术应用于多种芯片混合封装的场景，可以将不同功能、不同制程的芯片以相邻或者层叠的方式结合在一