台积电董事长称美光的存储技术已超过三星

日前，台积电董事长刘德音在出席活动时表示，美光的存储技术已经超越三星，引来台积电与美光加深合作的猜测。目前，在 NAND Flash 领域，美光确有后来居上的态势，美光的 176 层堆叠 3D NAND Flash 开始大量生产，但三星目前仍停留在 128 层。在 DRAM 技术方面，美光原落后三星，但如今追赶速度加快。今年第一季已领先三星、SK 海力士导入 1α 制程量产，更预计抢先在 2022 年推进到 1β 制程。台媒表示，美光与三星的存储龙头之争，未来几年将很有看头。在代工方面，三星一直是台积电的最大竞争对手，但在存储方面，三星拥有优势，以至于一些业内人士认为，如果三星能够在代工过程中充分整合存储优势，将会在与台积电的对抗中保持竞争力。正是基于此，台积电似乎正在谋求同美光的深度合作。报道分析指出，11 月初刚从美光副总裁位置卸任的徐国晋，闪电加盟台积电，负责先进封装测试研发，未来将推动应用处理器与存储走向 3D 堆叠的异