内存现货价格下跌速度放缓，预计明年 Q1 触底

业内人士表示，DRAM 和 NAND 闪存的现货价格继续下跌，但速度有所放缓，预计将在明年第一季触底。据《电子时报》报道，11 月主流 8Gb 和 16Gb DDR4 芯片现货价格下跌 0.7-1.5%，而 10 月的平均跌幅为 7%，11 月 3D TLC NAND 闪存芯片现货价格跌幅同样较上月趋缓，SLC 和 MLC NAND 芯片价格已停止下跌。消息人士指出，为保持价格稳定，上游芯片供应商对明年的产能扩张保持谨慎，使得现货市场的供应商能够协商出更好的价格。据消息人士称，2022 年 DRAM 整体位供应量预计将增加约 5%。同时，出于盈利考虑，芯片供应商正寻求将更多用于低密度商品 DRAM 内存的可用产能转移至 CMOS 图像传感器的制造，同时启动 DDR6 内存研发。该消息人士称，尽管渠道零售商和分销商对 2022 年第一季度的需求前景仍然悲观，但在 2 月中旬之后，需求的可见度有可能变得更加清晰。终端市场方面，新的第