韩国首尔2021年10月20日 /美通社/ -- SK海力士(或“公司”，www.skhynix.com) 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。 *HBM版本名称：HBM(第一代) - HBM2(第二代) - HBM2E(第三代) SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。 *HBM2E ：从第二代HBM2中改进部分性能的扩展(Extended)版本 SK海力士强调，“通过此次HBM3
SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
2021-10-20 08:00:00来源: 美通社
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