SK海力士实现量产HBM2E显存：单颗16GB、带宽超460GB/s

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IT之家7月2日消息 据外媒 prnewswire 今日报道，SK 海力士宣布，其已能够大规模批量生产新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。IT之家了解到，去年 8 月 SK 海力士宣布成功研发出新一代 DRAM 内存 / 显存芯片 “HBM2E”。今日，海力士正式已成功量产这一代 HBM2E 存储。图源 SK 海力士官网官方称其 HBM2E 拥有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的带宽、 共 1024 个 I / O（输入 / 输出）。HBM2E 通过 TSV（Through Silicon Via）硅穿孔技术垂直堆叠八颗 16Gb DRAM 芯片，容量达16GB，是上一代产品（HBM2）两倍以上的容量。值得一提的是，SK 海力士也是第一个研发出 HBM 存储的厂商。首发于 2015 年的 AMD R9 390X 显卡中。海力士还表示，HBM2E 是适合深度学习加速器（deeplear