三星14纳米EUV DDR5 DRAM正式量产

韩国首尔2021年10月12日 /美通社/ -- 今日，三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。 三星首款14纳米DRAM 三星首款14纳米DRAM “通过开拓关键的图案（key patterning）技术，三星活跃全球DRAM市场近三十年。”三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正通过多层EUV技术，树立了一座新的技术里程碑，实现了更加微型化的14纳米工艺，而这也是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。在此基础上，三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。” 随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，EUV技术变得越